-
1 bipolar-junction field-effect transistor circuit
1) Техника: интегральная схема на биполярных и полевых транзисторах, комбинированная интегральная схема на биполярных и полевых транзисторах, комбинированная технология изготовления ИС на биполярных и полевых транзисторах, прибор на биполярных и полевых транзисторах, технология производства ИС на биполярных и полевых транзисторахУниверсальный англо-русский словарь > bipolar-junction field-effect transistor circuit
-
2 bi-FET
1) Электроника: прибор на основе комбинации биполярного и полевого транзистора2) Макаров: комбинированная технология изготовления ИС на биполярных и полевых транзисторах, прибор на биполярных и полевых транзисторах, (bipolar field-effect transistor circuit) ИС на биполярных и полевых транзисторах, (bipolar field-effect transistor circuit) комбинированная ИС на биполярных и полевых транзисторах -
3 bipolar junction FET technology
Техника: интегральная схема на биполярных и полевых транзисторах, комбинированная интегральная схема на биполярных и полевых транзисторах, комбинированная технология изготовления ИС на биполярных и полевых транзисторах, прибор на биполярных и полевых транзисторах, технология производства ИС на биполярных и полевых транзисторахУниверсальный англо-русский словарь > bipolar junction FET technology
-
4 bipolar-junction field-effect transistor
Техника: интегральная схема на биполярных и полевых транзисторах, комбинированная интегральная схема на биполярных и полевых транзисторах, комбинированная технология изготовления ИС на биполярных и полевых транзисторах, прибор на биполярных и полевых транзисторах, технология производства ИС на биполярных и полевых транзисторахУниверсальный англо-русский словарь > bipolar-junction field-effect transistor
-
5 BIFET
bipolar junction FET technology; bipolar-junction field-effect transistor; bipolar-junction field-effect transistor circuit - интегральная схема на биполярных и полевых транзисторах; комбинированная интегральная схема на биполярных и полевых транзисторах; комбинированная технология изготовления ИС на биполярных и полевых транзисторах; прибор на биполярных и полевых транзисторах; технология производства ИС на биполярных и полевых транзисторах -
6 bipolar insulated gate FET
Техника: интегральная схема на биполярных и полевых транзисторах с изолированным затвором, комбинация полевого транзистора с изолированным затвором на входе и биполярного транзистора на выходе, комбинированная интегральная схема на биполярных и полевых транзисторах с изолированными затворами, прибор на биполярных и полевых транзисторах с изолированными затворамиУниверсальный англо-русский словарь > bipolar insulated gate FET
-
7 bipolar insulated gate field effect transistor
1) Техника: интегральная схема на биполярных и полевых транзисторах с изолированным затвором, комбинированная интегральная схема на биполярных и полевых транзисторах с изолированными затворами, прибор на биполярных и полевых транзисторах с изолированными затворами2) Вычислительная техника: комбинация полевого транзистора с изолированным затвором на входе и биполярного транзистора на выходеУниверсальный англо-русский словарь > bipolar insulated gate field effect transistor
-
8 bipolar insulated gate field-effect transistor circuit
Техника: интегральная схема на биполярных и полевых транзисторах с изолированным затвором, комбинация полевого транзистора с изолированным затвором на входе и биполярного транзистора на выходе, комбинированная интегральная схема на биполярных и полевых транзисторах с изолированными затворами, прибор на биполярных и полевых транзисторах с изолированными затворамиУниверсальный англо-русский словарь > bipolar insulated gate field-effect transistor circuit
-
9 BIGFET
bipolar insulated gate FET; bipolar insulated gate field effect transistor; bipolar insulated gate field-effect transistor circuit - интегральная схема на биполярных и полевых транзисторах с изолированным затвором; комбинация полевого транзистора с изолированным затвором на входе и биполярного транзистора на выходе; комбинированная интегральная схема на биполярных и полевых транзисторах с изолированными затворами; прибор на биполярных и полевых транзисторах с изолированными затворами -
10 BIFET
=-bi-FET, = bipolar-junction field-effect transistor2) (комбинированная) технология изготовления ИС на-биполярных и-полевых транзисторах -
11 BIFET
= bi-FET; сокр. от bipolar-junction field-effect transistor2) (комбинированная) технология изготовления ИС на биполярных и полевых транзисторахThe New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > BIFET
-
12 полевой транзистор
(Field Effect Transistor)Полевой транзистор (ПТ)Полупроводниковый прибор, в котором ток основных носителей, протекающих через канал, управляется электрическим полем. Основа такого транзистора - созданный в полупроводнике и снабжённый двумя выводами (исток и сток) канал с электропроводностью n - или p - типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод - затвор, соединённый с его средней частью p - n переходом. В связи с тем, что управление током в выходной цепи осуществляется входным напряжением (аналогично электровакуумным приборам) и входные токи ПТ чрезвычайно малы, параметры и характеристики полевых транзисторов существенно отличаются от характеристик биполярных транзисторов. ПТ обладают рядом преимуществ по сравнению с биполярными: высокое входное сопротивление по постоянному току и на высокой частоте, отсюда и малые потери на управление; высокое быстродействие (благодаря отсутствию накопления и рассасывания неосновных носителей); почти полная электрическая развязка входных и выходных цепей, малая проходная ёмкость (т.к. усилительные свойства ПТ обусловлены переносом основных носителей заряда, верхняя граница эффективного усиления мощных ПТ выше, чем у биполярных, и применение ключевых усилителей на ПТ при тех же напряжениях питания возможно на частотах около 400 мГц, в то время как на биполярных транзисторах разработка ключевых генераторов частотой выше 100 мГц является весьма сложной задачей); квадратичность вольтамперной характеристики (аналогична триоду); высокая температурная стабильность; малый уровень шумов.
Устройство полевого транзистораАнгло-русский словарь по нанотехнологиям > полевой транзистор
-
13 FET
(Field Effect Transistor)Полевой транзистор (ПТ)Полупроводниковый прибор, в котором ток основных носителей, протекающих через канал, управляется электрическим полем. Основа такого транзистора - созданный в полупроводнике и снабжённый двумя выводами (исток и сток) канал с электропроводностью n - или p - типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод - затвор, соединённый с его средней частью p - n переходом. В связи с тем, что управление током в выходной цепи осуществляется входным напряжением (аналогично электровакуумным приборам) и входные токи ПТ чрезвычайно малы, параметры и характеристики полевых транзисторов существенно отличаются от характеристик биполярных транзисторов. ПТ обладают рядом преимуществ по сравнению с биполярными: высокое входное сопротивление по постоянному току и на высокой частоте, отсюда и малые потери на управление; высокое быстродействие (благодаря отсутствию накопления и рассасывания неосновных носителей); почти полная электрическая развязка входных и выходных цепей, малая проходная ёмкость (т.к. усилительные свойства ПТ обусловлены переносом основных носителей заряда, верхняя граница эффективного усиления мощных ПТ выше, чем у биполярных, и применение ключевых усилителей на ПТ при тех же напряжениях питания возможно на частотах около 400 мГц, в то время как на биполярных транзисторах разработка ключевых генераторов частотой выше 100 мГц является весьма сложной задачей); квадратичность вольтамперной характеристики (аналогична триоду); высокая температурная стабильность; малый уровень шумов.Устройство полевого транзистора
См. также в других словарях:
IGBT — Условное графическое обозначение IGBT. IGBT, БТИЗ (от англ. Insulated gate bipolar transistor … Википедия
Усилитель звуковых частот — Эту страницу предлагается переименовать в Усилитель звуковой частоты. Пояснение причин и обсуждение на странице Википедия:К переименованию/3 ноября 2012. Возможно, её текущее название не соответствует нормам современного русского языка … Википедия
УЗЧ — Усилитель звуковых частот (УЗЧ), усилитель низких частот (УНЧ), усилитель мощности звуковой частоты (УМЗЧ) прибор (электронный усилитель) для усиления электрических колебаний, соответствующих слышимому человеком звуковому диапазону частот… … Википедия
УМЗЧ — Усилитель звуковых частот (УЗЧ), усилитель низких частот (УНЧ), усилитель мощности звуковой частоты (УМЗЧ) прибор (электронный усилитель) для усиления электрических колебаний, соответствующих слышимому человеком звуковому диапазону частот… … Википедия
УНЧ — Усилитель звуковых частот (УЗЧ), усилитель низких частот (УНЧ), усилитель мощности звуковой частоты (УМЗЧ) прибор (электронный усилитель) для усиления электрических колебаний, соответствующих слышимому человеком звуковому диапазону частот… … Википедия
Усилитель низкой частоты — Усилитель звуковых частот (УЗЧ), усилитель низких частот (УНЧ), усилитель мощности звуковой частоты (УМЗЧ) прибор (электронный усилитель) для усиления электрических колебаний, соответствующих слышимому человеком звуковому диапазону частот… … Википедия
Усилитель ЗЧ — Усилитель звуковых частот (УЗЧ), усилитель низких частот (УНЧ), усилитель мощности звуковой частоты (УМЗЧ) прибор (электронный усилитель) для усиления электрических колебаний, соответствующих слышимому человеком звуковому диапазону частот… … Википедия
Транзистор — Дискретные транзисторы в различном конструктивном оформлении … Википедия
УСИЛИТЕЛИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КОЛЕБАНИЙ — устройства, в к рых осуществляется повышение мощности электрич. колебаний с частотами 0/3хl012 Гц за счёт преобразования энергии стороннего источника питания (накачки) в энергию усиливаемых колебаний. Физ. явления, используемые для преобразования … Физическая энциклопедия
Полевой транзистор — Полевой транзистор (англ. field effect transistor, FET) полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе… … Википедия
Униполярный транзистор — Полевой транзистор полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда… … Википедия
